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ACS Catalysis:Cr摻雜ZnO表面CO活化的機器學(xué)習(xí)加速研究

2023-12-01 17:00 作者:電化學(xué)與電催化  | 我要投稿


作為合成氣轉(zhuǎn)化氧化物-沸石(OX-ZEO)復(fù)合催化劑的關(guān)鍵組成部分,Cr摻雜ZnO三元體系可以被視為理解氧化物催化劑的模型體系。然而,由于其結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性,傳統(tǒng)的實驗和理論方法都遇到了重大挑戰(zhàn)。

基于此,英國貝爾法斯特女王大學(xué)胡培君教授(通訊作者)等人使用機器學(xué)習(xí)加速方法,包括巨正則蒙特卡羅法和遺傳算法,探索了不同的Cr和氧空位(OV)濃度的ZnO(1010)表面。然后通過DFT計算系統(tǒng)地研究了不同Cr和OV濃度的穩(wěn)定表面對CO活化的影響。


研究表明,Cr傾向于優(yōu)先出現(xiàn)在ZnO(1010)的表面而不是其內(nèi)部區(qū)域,并且Cr摻雜結(jié)構(gòu)在高Cr和OV濃度下傾向于沿[0001]方向形成矩形島。在摻Cr的ZnO表面上,去除附著在Cr上的氧顯著地增強了CO的吸附。對于同一組分,未重構(gòu)表面的二配位Cr比重構(gòu)表面的四配位Cr具有更強的CO吸附能。


此外,CO反應(yīng)性的詳細計算揭示了C-O鍵解離的反應(yīng)能壘(Ea)與Cr和OV濃度之間的反比關(guān)系,并且觀察到OV形成能與CO活化的Ea之間存在線性關(guān)系。進一步的分析表明,當(dāng)相鄰的OV在[1210]方向上幾何排列且Cr摻雜在反應(yīng)位點周圍時,C-O鍵解離更加有利。這些發(fā)現(xiàn)為Cr摻雜ZnO表面的CO活化提供了更深入的見解,并為合成氣轉(zhuǎn)化的有效催化劑的合理設(shè)計提供了有價值的指導(dǎo)。


Unravelling the Impact of Metal Dopants and Oxygen Vacancies on Syngas Conversion over Oxides: A Machine Learning-Accelerated Study of CO Activation on Cr-Doped ZnO Surfaces. ACS Catal., 2023, DOI: 10.1021/acscatal.3c03648.

https://doi.org/10.1021/acscatal.3c03648.

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