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不滿足于QLC和PLC!鎧俠放大招討論OLC閃存:需在液氮環(huán)境工作

2021-07-29 12:42 作者:存儲極客  | 我要投稿

從東芝剝離出來的鎧俠一門心思只做閃存一種產(chǎn)品。在2019年首次宣布PLC(每單元存儲5比特數(shù)據(jù))閃存之后,鎧俠今年在IEEE電子器件技術(shù)與制造會議(EDTM)上展示了對HLC(每單元存儲6比特數(shù)據(jù))和OLC(每單元存儲8比特數(shù)據(jù))閃存的研究成果。

閃存使用電子來存儲數(shù)據(jù),存儲1比特數(shù)據(jù)的SLC閃存只需要兩個閾值電壓來區(qū)分0(編程狀態(tài))和1(擦除狀態(tài))。存儲2比特數(shù)據(jù)的MLC需要四種閾值電壓來區(qū)分00、01、10和11。發(fā)展到每個單元存儲6比特數(shù)據(jù)的HLC之后,閾值電壓數(shù)量多達64個,哪怕只是看一眼下圖都會令人頭皮發(fā)麻,不難體會到數(shù)據(jù)保持和糾錯難度有多高。

現(xiàn)有的技術(shù)條件無法讓HLC閃存在常溫條件下正常工作,或者說雖然造得出來,但是沒法用(壽命太低、數(shù)據(jù)太容易出錯)。下表是不同類型閃存的擦寫壽命,3D QLC閃存可以擦寫300到1000次,目前尚未量產(chǎn)的PLC閃存預(yù)計是300次以下,HLC估計只有不到100次,OLC預(yù)計不到50次……

鎧俠的方法是通過讓閃存處于液氮環(huán)境下工作,極低的溫度(-196度)能夠減少對隧道絕緣膜的需求、降低電壓要求并降低了寫入對閃存的磨損影響,結(jié)果使得讀取噪聲顯著降低、寫入壽命延長,數(shù)據(jù)斷電保存時間增加。

鎧俠在極低溫度下讓HLC閃存實現(xiàn)了1000次擦寫壽命。在考慮到制冷的成本開銷之后,鎧俠認為在液氮環(huán)境下使用HLC和OLC閃存相比在常溫條件下使用QLC閃存仍然具備成本優(yōu)勢。目前這些研究都是在實驗室環(huán)境下進行的,距離商用化還有很長的路要走。如果未來6bit/cell的HLC無法在常溫低下達到可觀的擦寫壽命,5bit/cell的PLC有可能將成為多級閃存發(fā)展的終點。

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