STGP19NC60KD原裝IGBT晶體管20A600V

特點：低電壓降（VcE（sat））低Cres/Cies比（無交叉?zhèn)鲗?dǎo)磁化率），短路耐受時間為10 us，IGBT與超快自由旋轉(zhuǎn)二極管合封。
應(yīng)用：高頻逆變器，電機驅(qū)動器。
說明：該IGBT利用了先進的PowerMESHTM工藝，在切換性能和低狀態(tài)行為之間實現(xiàn)了良好的權(quán)衡。

STGP19NC60KD原裝IGBT晶體管20A600V，TO-220封裝
STGF19NC60KD原裝IGBT晶體管20A600V，TO-220FP封裝
STGB19NC60KD原裝IGBT晶體管20A600V，D2PAK封裝