編輯-Z

艾賽斯車規(guī)級MOS管IXFK32N100P參數(shù)：

型號：IXFK32N100P

漏極-源極電壓（VDS）：1000V

連續(xù)漏電流（ID）：32A

功耗（PD）：960W

工作結(jié)溫度（TJ）：-55 to +150℃

零柵極電壓漏極電流（IDSS）：50uA

漏極源導(dǎo)通電阻RDS(ON)：320mΩ

輸入電容（CISS）：14.2pF

二極管正向電壓（VSD）：1.5V

反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：300ns

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IXFK32N100P封裝尺寸：

封裝：TO-264

總長度：46.99mm

本體長度：26.16mm

引腳長度：20.83mm

寬度：19.96mm

高度：5.13mm

腳間距：5.46mm

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IXFK32N100P特征：

快速本征二極管

國際標(biāo)準(zhǔn)包裝

額定無阻尼感應(yīng)開關(guān)（UIS）

低封裝電感-易于驅(qū)動和保護(hù)

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IXFK32N100P應(yīng)用：

開關(guān)模式和諧振模式電源

DC-DC轉(zhuǎn)換器

激光驅(qū)動器

交流和直流電機(jī)控制

機(jī)器人和伺服控制