一：《新型氮化鎵功率晶體管特性分析》

二：《氮化鎵晶體管的DC_DC電源模塊》

三：《適用于GaN器件的諧振驅(qū)動電路》

四：《高性能GaN納米線陣列》

五：《GaN單晶片的表面加工工藝研究》

六：《超薄氮化鎵制備及其光學(xué)性質(zhì)》

七：《SiO2藍寶石襯底對GaN生長及LED發(fā)光性能的影響》

八：《大規(guī)模GaN納米線陣列的制備及表征》

九：《應(yīng)用于LLC諧振變換器的GaN器件電路設(shè)計》

十：《GaN單晶襯底上同質(zhì)外延界面雜質(zhì)的研究》

十一：《具有雙異質(zhì)結(jié)的氮化鎵高壓肖特基二極管》

十二：《抑制GaN變換器振鈴的高頻驅(qū)動電路設(shè)計》

十三：《六英寸Si基GaN功率電子材料及器件的制備與研究》

十四：《GaN器件大功率雙向DC_DC變換器》

十五：《GaN器件的高功率諧振變換器的研究》

十六：《氮化鎵功率器件的過流保護電路研究》

十七：《仿真研究溫度對GaN MOSFET特性的影響》

十八：《高性能GaN-on-GaN二極管的研究》

十九：《大功率器件及材料的技術(shù)研究進展》

二十：《低壓氮化鎵器件諧振技術(shù)及其特性》