第六章 放大器的頻率響應(yīng)

由上一篇筆記中結(jié)合器件討論過的MOS電容模型可以知道，對于MOS器件來說，CDB和CSB通常遠小于其他電容可忽略不計；在晶體管開啟時由于溝道隔斷的作用，CGB=0；電容CGS是其最大的寄生電容；對于CGD直接跨接在輸入輸出節(jié)點之間的情況，由于密勒等效要乘上與增益有關(guān)的系數(shù)，因此CGD項不可忽略?？偨Y(jié)來說就是，對于MOS的電容，我們通常主要考慮的是CGS和直接跨接在兩個節(jié)點之間的CGD。

也可以通過仿真看MOS管的寄生參數(shù)，由器件的表達式知道不同的尺寸會帶來不同的結(jié)果，遠小于遠大于的概念并不是絕對的。

這里我用的是tsmc18工藝

然后就可以愉快地學(xué)習(xí)頻率響應(yīng)的章節(jié)了！

優(yōu)化了一下我的學(xué)前班傻瓜筆記放出來：因為我大學(xué)原來是文科專業(yè)，一直到大二上快期中的時候突發(fā)奇想轉(zhuǎn)專業(yè)了，平級轉(zhuǎn)專業(yè)我啥也不會十分酸爽，所以我寫的很詳（啰）細（嗦）：（西安交大張鴻老師和我的母校陳老師的課我都看過，我的筆記里從零極點的內(nèi)容到模電的內(nèi)容都有提及）PDF版本文末自取

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第六章 頻率響應(yīng)

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第七章 噪聲

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