AMD發(fā)布了公司第二代3D緩存，展示了新技術(shù)的新優(yōu)化和增強，2023年國際固態(tài)電路大會是該公司第二次公開有關(guān)新I/O芯片的信息。

AMD公司透露的其中一張圖片是其下一代3D V-Cache的新I/O芯片的首次亮相。這一新的I/O芯片已在最新的Ryzen 7000 X3D“Raphael”CPU上亮相。

與非X3D cpu相比，AMD將在L3緩存中增加更多內(nèi)容，使一個小芯片的大小達到96 MB，并基于7nm工藝節(jié)點技術(shù)。L3緩存堆疊在5納米Zen 4核復(fù)合管芯（CCD）上。雖然下一代將擁有更小的緩存管芯，但它將保持相同的晶體管數(shù)量。然而，晶體管密度從最初的114.6 MTr/mm2增加到130.6 MTr/mm2，并達到2.5 TB/s的更高帶寬，與5800X3D設(shè)計相比提高了25%。

AMD公司將硅通孔（TSV）連接面積調(diào)整了一半。Zen 4的CCD目前安裝在Ryzen 7000 X3D消費處理器和EPYC 9004服務(wù)器/工作站CPU上?，F(xiàn)在，I/O管芯將在發(fā)布時針對消費者和服務(wù)器型號進行更改，并將具有兩個全局內(nèi)存互連端口，從而消除了同時使用三個CCD的配置。

新芯片還將提供128位DDR5物理層（PHY）和32位糾錯碼存儲器（ECC），每32位通道8位，是PCIe 5.0物理層的28倍，比Zen1/2/3按需計算集成（cIOD）少4倍。最后，小芯片預(yù)計將提供128個著色器核心。