【案情簡(jiǎn)介】
　　某株式會(huì)社持有“用于薄膜沉積的方法和系統(tǒng)”的發(fā)明專(zhuān)利。微導(dǎo)公司以原子層沉積（ALD）技術(shù)為核心，主要從事微、納米級(jí)薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，產(chǎn)品主要應(yīng)用于光伏、半導(dǎo)體領(lǐng)域。某株式會(huì)社指控微導(dǎo)公司生產(chǎn)、銷(xiāo)售的“夸父系列原子層沉積鍍膜系統(tǒng)”（即ALD設(shè)備及工藝方法）侵犯其專(zhuān)利權(quán)，故訴至法院，請(qǐng)求判令微導(dǎo)公司停止侵權(quán)并賠償經(jīng)濟(jì)損失300萬(wàn)元。

【法院認(rèn)為】
　　經(jīng)對(duì)微導(dǎo)公司被訴KF550D型夸父原子層沉積鍍膜系統(tǒng)設(shè)備的主要運(yùn)行方式進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)勘驗(yàn)，其與涉案專(zhuān)利技術(shù)方案相比，存在反應(yīng)氣體不進(jìn)入處理室、進(jìn)氣與排氣的流向?yàn)橥环较虻炔煌?。根?jù)權(quán)利要求的記載，被訴侵權(quán)設(shè)備不具備涉案專(zhuān)利權(quán)利要求1與5中的全部技術(shù)特征，未落入涉案專(zhuān)利權(quán)的保護(hù)范圍。同時(shí)，結(jié)合涉案專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)背景技術(shù)中的描述以及被訴侵權(quán)設(shè)備所采用的具體實(shí)施方式，足以認(rèn)定被訴侵權(quán)設(shè)備與涉案專(zhuān)利分別采用了兩種不同的技術(shù)方案。據(jù)此，法院判決駁回了某株式會(huì)社的全部訴訟請(qǐng)求。

【典型意義】
　　高水平科技自立自強(qiáng)是國(guó)家的強(qiáng)盛之基、安全之要。當(dāng)前，集成電路產(chǎn)業(yè)已成為新一輪全球科技競(jìng)爭(zhēng)的核心之一。微導(dǎo)公司自主研發(fā)的原子層沉積（ALD）技術(shù)，為集成電路、柔性電子等半導(dǎo)體與泛半導(dǎo)體行業(yè)提供高端裝備與技術(shù)解決方案，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)設(shè)備在該領(lǐng)域的空白，打破了國(guó)外半導(dǎo)體 ALD設(shè)備長(zhǎng)期壟斷的局面。本案中，法院結(jié)合專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)及附圖，對(duì)涉案專(zhuān)利的保護(hù)范圍作出了準(zhǔn)確界定，依法維護(hù)了微導(dǎo)公司自有創(chuàng)新技術(shù)的合法權(quán)益，為微導(dǎo)公司推進(jìn)上市排除了障礙。本案裁判極大鼓勵(lì)和激發(fā)了國(guó)內(nèi)高新技術(shù)企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)造的熱情和活力，為集聚力量進(jìn)行原創(chuàng)性、引領(lǐng)性科技攻關(guān)和實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破營(yíng)造了良好的法治環(huán)境。本案作為典型案例被江蘇高院寫(xiě)入人大報(bào)告中。