《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵金屬器件表面沉積技術
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》
文章：氮化鎵金屬器件表面沉積技術
編號：JFKJ-21-071
作者：炬豐科技
抽象的：
? 綜述了與金屬氧化物半導體器件相關的極性氮化鎵 (GaN) 表面、表面處理和柵極電介質的文獻。介紹了 GaN 生長技術和生長參數對 GaN 外延層特性的重要性、使用原位和非原位工藝修改 GaN 表面特性的能力以及對 GaN 金屬氧化物半導體 (MOS) 器件的理解和性能的進展以及討論。盡管對每個主題所涵蓋的問題的重點研究正在形成合理一致的圖景，但未來的研究可以通過探索這些主題之間的聯(lián)系來更好地理解關鍵的氧化物 - 半導體界面。討論了分析柵極堆疊中的缺陷濃度和能量的挑戰(zhàn)。
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關鍵詞： 氮化鎵生長；氧化物；表面；治療；界面; 原子層沉積
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1.?介紹
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? 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導體材料，具有高擊穿電壓，因此非常適合高頻、高功率和高溫應用。直到最近，在 LED 市場以外的商業(yè)電子設備中使用 GaN有限。然而，基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 自 2006 年就已投入商業(yè)使用，并已用于各種無線應用。直到最近，在藍寶石或 SiC文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁襯底上生長 GaN 外延層的要求一直是在許多技術應用中更廣泛采用 GaN 的經濟障礙。??略
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2.?氮化鎵表面
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? GaN 以立方晶體結構或六方晶體結構存在。極性六方晶體結構是最受技術關注的。因此，極性 GaN 是本次審查的相關表面。具有 Ga 面終端的極面由米勒指數表示，具有 N 面終端的極面由米勒指數表示）。由于 GaN 具有相對較大的離子性，Ga-N 鍵的離子特性和相關的靜電效應有望在其結構和電子特性中發(fā)揮重要作用，這些特性不如低離子半導體，如GaAs。生長的纖鋅礦 GaN 基異質結構中，在表面和界面狀態(tài)中捕獲的電荷、自發(fā)極化和壓電極化（后者在應變的存在下）都對異質界面處的總電荷密度有所貢獻。
2.1氮化鎵的生長???略
2.2表面重建???略
2.3批量缺陷???略
2.4表面缺陷???略
