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ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFH4N100Q,IXFH4N100Q參數(shù)

2023-06-12 16:26 作者:強(qiáng)元芯  | 我要投稿

編輯-Z

IXFH4N100Q參數(shù)描述:

型號(hào):IXFH4N100Q

VDSS:1000V

VDGR:1000V

VGS:±20

ID25:4A

IDM:16A

PD:150W

TJ,Tstg:-55 to +150℃

Weight:6g

VGS(th):5V

IGSS:±100 nA

IDSS:50uA

RDS(on):3Ω

Ciss:1050pF

IS:4A

ISM:16A

VSD:1.5V

Trr:250 ns

?


IXYS先進(jìn)的低Qg工藝

低柵極電荷和電容

-更易于駕駛

-更快的切換

國際標(biāo)準(zhǔn)包裝

RDS低(打開)

額定無阻尼感應(yīng)開關(guān)(UIS)

模塑環(huán)氧樹脂符合UL94V-0可燃性分類


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