1、海外廠商占據(jù)絕對份額，國內(nèi)存儲安全重要性凸顯

存力的底層支撐：半導體存儲器芯片（主流為DRAM+NANDFlash）。存力的體現(xiàn)形式：數(shù)據(jù)中心+存儲服務(wù)器。

海外巨頭壟斷，國內(nèi)存儲安全重要性日益凸顯。全球DRAM市場幾乎由三星、SK海力士和美光所壟斷，CR3超過95%，全球NAND flash市場由前三大廠商分別為三星、鎧俠和海力士，目前CR3市場份額達65%，CR6市場份額接近95%。

2、國內(nèi)數(shù)據(jù)圈龐大，AI驅(qū)動“從算力到存力”的長期需求

得益于人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等新興技術(shù)的快速發(fā)展，中國數(shù)據(jù)正在迎來爆發(fā)式增長，驅(qū)動存儲設(shè)備在數(shù)據(jù)中心采購占比進一步提升。據(jù)IDC預測，預計到2025年，中國數(shù)據(jù)圈將增長至48.6ZB，占全球數(shù)據(jù)圈的27.8%，成為全球最大的數(shù)據(jù)圈。

AI技術(shù)革命推動高算力服務(wù)器等基礎(chǔ)設(shè)施需求提升，AI服務(wù)器所需的DRAM/NAND分別是常規(guī)服務(wù)器的8/3倍。

3、存儲周期拐點已至，庫存改善、價格壓力緩解

美光23Q1存貨環(huán)比小幅回落，集邦咨詢預測23Q2DRAM價格跌幅收窄至10%-15%（23Q1為20%），庫存情況改善、價格壓力緩解，存儲行業(yè)周期迎來拐點。

4、先進存力的前進方向：存算一體、HBM/DRAM、3DNAND

存算一體：將存儲單元和計算單元合為一體，省去了計算的數(shù)據(jù)搬運環(huán)節(jié)，消除由于數(shù)據(jù)搬運帶來的功耗，提升計算能效。

HBM/DRAM：作為存儲器主流之一的DRAM技術(shù)不斷升級，衍生出HBM（高帶寬內(nèi)存），其是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，將多個DDR芯片堆疊后與GPU封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列，突破內(nèi)存容量與帶寬瓶頸。

3DNAND（立體堆疊技術(shù)）：可以擺脫對先進制程工藝的束縛，不依賴于EUV技術(shù)，而閃存的容量/性能/可靠性也有了保障。

來源：浙商證券

若需獲取本篇完整版資源，請關(guān)注公眾號《俠說》

報告內(nèi)容節(jié)選如下：