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SI2301-ASEMI中低壓P溝道MOS管SI2301

型號(hào)：SI2301

品牌：ASEMI

封裝：SOT-23

最大漏源電流：-2.2A

漏源擊穿電壓：-20V

RDS（ON）Max：0.13Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：P溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時(shí)間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：中低壓MOS管、P溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

SI2301場(chǎng)效應(yīng)管

SI2301的電性參數(shù)：最大漏源電流-2.2A；漏源擊穿電壓-20V

特征：

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無(wú)與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=500V，Id=40A

RDS（開）:0.13m? （最大值）@VG=10V