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《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》--技術(shù)資料合集30

2021-09-10 13:57 作者:華林科納  | 我要投稿

一:硅晶圓清潔技術(shù)的未來

二:硅片表面的氣相清洗

三:硅片表面有機(jī)污染評(píng)價(jià)

四:硅片中銅的低溫?cái)U(kuò)散

五:硅局部陽極氧化制備的影響

六:提高M(jìn)EMS的可制造性

七:晶片光刻膠處理系統(tǒng)

八:晶體硅太陽能的濕化學(xué)結(jié)構(gòu)

九:晶圓背面清潔工藝

十:MEMS封裝技術(shù)

十一:晶圓均勻電鍍工藝

十二:顆粒清洗技術(shù)

十三:晶體硅濕法化學(xué)蝕刻過程中的表面形貌

十四:納米壓印制造進(jìn)展的加工技術(shù)

十五:基本MEMS材料的微納米加工技術(shù)

十六:潔凈室中的有機(jī)空氣分子污染

十七:硅上氧化物異質(zhì)外延研究進(jìn)展

十八:化學(xué)品對(duì)硅片上金屬污染的影響

十九:硅片表面有機(jī)污染物的吸附行為

二十:硅片濕法化學(xué)腐蝕中芯片角的保護(hù)技術(shù)


《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》--技術(shù)資料合集30的評(píng)論 (共 條)

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