晶體結構即晶體的微觀結構，是指晶體中實際質點（原子、離子或分子）的具體排列情況。自然界存在的固態(tài)物質可分為晶體和非晶體兩大類，固態(tài)的金屬與合金大都是晶體。晶體與非晶體的最本質差別在于組成晶體的原子、離子、分子等質點是規(guī)則排列的（長程序），而非晶體中這些質點除與其最相近外，基本上無規(guī)則地堆積在一起（短程序）。金屬及合金在大多數情況下都以結晶狀態(tài)使用。晶體結構是決定固態(tài)金屬的物理、化學和力學性能的基本因素之一。

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晶體是各向異性的均勻物體。生長良好的晶體，外觀上往往呈現某種對稱性。從微觀來看，組成晶體的原子在空間呈周期重復排列。即以晶體中的原子或其集合為基點，在空間中三個不共面的方向上，各按一定的點陣周期，不斷重復出現。如從重復出現的每個基元中各取某一相當點，則這些點合在一起形成一個空間點陣的一部分，圖3a為其示意圖。確切地說，點陣是一組按連接其中任何兩點的矢量進行平移后而能復原的點的重復排列。

瑞禧生物可以提供以下二維納米材料：Mxene、過渡金屬碳化物和氮化物（MXenes）、MAX相陶瓷材料、石墨烯、石墨炔、拓撲絕緣體、過渡族金屬硫化物（TMDs）、六角氮化硼（h-BN）、磷烯、銻烯、鉍烯 智能黑磷水凝膠納米醫(yī)藥載體、鈣鈦礦二維材料、二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）、黑磷納米材料、C3N4納米片、二維鍺烯量子點、酞菁納米片、卟啉納米片、碳納米管定制。

BiOCl晶體 氯氧化鉍晶體

BiSe 晶體

BiTe晶體

Bi單晶 Bi晶體 鉍

CdI2晶體

CdPS3 晶體

Co2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體

CoBi2Te4 磁性拓撲絕緣體

CoBi4Se7 磁性拓撲絕緣體

CoBi4Te7 磁性拓撲絕緣體

Cr2Ge2Te6? CrGeTe3 磁性拓撲絕緣體

Cr2S3晶體

Cr2Si2Te6? ?CrSiTe3 晶體

CrBi2Te4磁性拓撲絕緣體

CrBi4Te7 磁性拓撲絕緣體

CrI3 碘化鉻

CrPS4 晶體 磁性拓撲絕緣體

CrTe2晶體

GeSb4Te7晶體

GeSe 硒化鍺

GeTe晶體

HfS2 硫化鉿

HfS3晶體

HfSe2 硒化鉿

HfTe2 碲化鉿晶體

HfTe5晶體

HgPSe3晶體

In2GaBi2S6晶體

In2P3S9晶體

In2P3Se9 晶體

In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相

In2Te5晶體

In3SbTe2晶體

InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體

InBi晶體

InGaS3 晶體

InSb晶體

InSe 硒化銦 （β相）

InSiTe3晶體

MnBi2Se4 晶體

MnBi4Se7 磁性拓撲絕緣體

MnBi4Te7 磁性拓撲絕緣體

MnPS3 晶體

MnPSe3 晶體

MnSb2Te4 晶體

Mo0.75W0.25Se2晶體

Mo0.95W0.05Se2晶體

MoS2 二硫化鉬

MoSe2 二硒化鉬

MoSSe 鉬硫硒

PbI2晶體

PbSb2Te4晶體

PbSe晶體

PbSnS2 晶體

PbSnSe2 晶體

PbS晶體

PdSe2 二硒化鈀

PdTe2 拓撲絕緣體

PtTe2 晶體拓撲絕緣體

ReS2 二硫化錸

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