書籍：《炬豐科技-半導體工藝》

文章：Micro LED研究進展

編號：JFKJ-21-299

作者：炬豐科技

摘要

? 基于近代顯示技術的發(fā)展背景，對比傳統(tǒng)的 LED 顯示技術分析了 Micro LED 技術的發(fā)展?jié)摿?，總結出 Micro LED 所具有的顯示技術優(yōu)勢; 從 Micro LED 發(fā)展進程與技術原理出發(fā)，系統(tǒng)闡述了目前存在的三大封裝工藝特點 即 Micro LED 全彩化技術、巨量轉移技術、微縮制程技術。

關鍵詞: Micro LED 封裝; 巨量轉移; 微縮制程技術; Micro LED 全彩化

引言

? 首次提出 Micro LED 技術理論，象征著 LED 光源走向了微顯示時代。對比于傳統(tǒng) LED 屏幕顯示技術、Mini LED、 OLED 等，Micro LED 擁有出色的亮度、發(fā)光效率高、 低能耗、反應速度高、對比度高、自發(fā)光、使用壽命長、 超高解析度與色彩飽和度等優(yōu)勢，且具備自發(fā)光和感測能力，是一項十分理想的顯示技術。

Micro LED 的發(fā)展進程

?

Micro LED 的技術原理

Micro LED 封裝技術

? 繼 COB 封裝技術之后，Micro LED 封裝技術的發(fā) 展給 LED 帶來了新的芯片技術與挑戰(zhàn)。Micro LED 的封裝技術主要分為: Micro LED 全彩化技術，巨量 轉移技術，微縮制程技術。

巨量轉移 ??略

微縮制程