編輯-Z

ASEMI高壓MOS管ASE65R330參數(shù)：

型號：ASE65R330

漏極-源極電壓（VDS）：650V

柵源電壓（VGS）：20V

漏極電流（ID）：12.5A

功耗（PD）：30.9W

儲存溫度（Tstg）：-55 to 150℃

靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：330mΩ

二極管正向電壓（VSD）：1.1V

輸入電容（Ciss）：470pF

二極管反向恢復(fù)時間（trr）：214nS

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ASE65R330封裝圖片：

封裝：TO-220F

總長度：28.8mm

本體長度：15.87mm

寬度：10.16mm

高度：4.7mm

腳間距：2.54mm

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ASE65R330特征：

超低RDS（ON）=330mΩ@VGS=10V。

超低柵極電荷，Qg=27.2nC典型值。

快速切換能力

具有更好EAS性能的穩(wěn)健設(shè)計

EMI改進(jìn)設(shè)計