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射頻突波抑制X2電容器有什么特點(diǎn)和作用

2023-08-03 11:47 作者:KYET電容知識(shí)分享  | 我要投稿

X2電容器大家并不陌生,射頻突波抑制X2電容器,其實(shí)也就是我們常說(shuō)的抗干擾用X2安規(guī)電容器,射頻突波抑制X2電容器有什么特點(diǎn)和作用?

射頻突波抑制X2電容器有什么特點(diǎn)和作用

1、寬溫度、頻率范圍內(nèi),容量和DF 具有高穩(wěn)定性

2、耐高溫110℃。

3、高額定電壓:310V、350V、380V,耐壓更高、余量更中,使用壽命更長(zhǎng)久。

4、高電流承受及高絕緣強(qiáng)度

5、KYET品牌安規(guī)電容器,質(zhì)量好,長(zhǎng)時(shí)間工作穩(wěn)定性

6、能承受高壓沖擊

射頻突波抑制X2電容器有什么作用:

線間旁路和天線耦合

線間跨接,抑制電源電磁干擾

頻率調(diào)制濾波

開(kāi)關(guān)電源

也可以作為阻容降壓電容來(lái)使用。

射頻突波抑制X2電容器技術(shù)參數(shù):

1、介質(zhì):聚丙烯薄膜。

2、電極:真空蒸鍍金屬。

3、包封:包封阻燃盒子并以環(huán)氧樹(shù)脂灌封

4、導(dǎo)線:徑向鍍錫導(dǎo)線或軟導(dǎo)線。

5、氣候類別:40/100/21。

6、靜電容量誤差:M=±20%? ?K=±10% J=±5%

7、散逸因素(損耗角正切):≤ 0.1%? ?(at 20 ℃ , 1KHz)

8、耐電壓:4.3*UR? Unit :VDC? (1minute at 20 ℃)

9、絕緣電阻:C ≤ 0.33μF IR ≥ 15,000M?C > 0.33μF IR*C ≥ 5,000S? (1minute at 20℃? and RH ≤ 65%)

射頻突波抑制X2電容器有什么特點(diǎn)和作用的評(píng)論 (共 條)

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