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超低損耗電路新研究:光芯片電路+量子計(jì)算

2023-01-30 15:47 作者:量子前哨  | 我要投稿


(圖片來(lái)源:網(wǎng)絡(luò))

在光通信以及使用光而不是電荷來(lái)存儲(chǔ)和傳輸信息的量子計(jì)算機(jī)的設(shè)計(jì)中,要做到以最小的損耗傳輸,并能操縱最小單位光,光子起著至關(guān)重要的作用。


現(xiàn)在,美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的研究人員已經(jīng)在單個(gè)微芯片上連接了量子點(diǎn),用激光照射人造原子,快速按需產(chǎn)生單個(gè)光子,并且沒(méi)有明顯的強(qiáng)度損失。


為了創(chuàng)建超低損耗電路,研究人員制造了氮化硅波導(dǎo)并將其嵌入二氧化硅中。通道很寬但很淺,這種設(shè)計(jì)是為了避免光子從波導(dǎo)散射,將波導(dǎo)封裝在二氧化硅中也有助于減少散射。


科學(xué)家們說(shuō),比起使用量子點(diǎn)的類似電路,原型電路只有百分之一的密度損失,由其他團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)。最終,采用這種新芯片技術(shù)的設(shè)備可以利用量子力學(xué)的奇特性質(zhì),來(lái)執(zhí)行經(jīng)典電路無(wú)法執(zhí)行的復(fù)雜計(jì)算。


例如,根據(jù)量子力學(xué)定律,單個(gè)光子有可能同時(shí)在兩個(gè)不同的地方,比如在兩個(gè)不同的波導(dǎo)中。這種特性可用于存儲(chǔ)信息。單個(gè)光子可以充當(dāng)量子比特,攜帶的信息比經(jīng)典計(jì)算機(jī)的二進(jìn)制比特多得多,經(jīng)典計(jì)算機(jī)的比特只有0或1。


為了執(zhí)行必要的操作來(lái)解決計(jì)算問(wèn)題,這些光子量子比特不僅要求波長(zhǎng)相同,移動(dòng)速度也要相同,必須同時(shí)到達(dá)電路中的某些處理節(jié)點(diǎn)。這帶來(lái)了挑戰(zhàn),因?yàn)楣庾觼?lái)自電路不同位置,并沿不同波導(dǎo)傳播,它們以與處理點(diǎn)明顯不同的距離延伸。為了實(shí)現(xiàn)同時(shí)到達(dá),對(duì)于那些發(fā)射到離確定目的地更近的光子,必須延遲它們的旅程,給那些在更遠(yuǎn)的波導(dǎo)中的光子提供時(shí)間。


該電路由NIST研究人員(包括Ashish Chanana和Marcelo Davanco)與國(guó)際同事團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì),時(shí)間實(shí)現(xiàn)了顯著延遲,因?yàn)樗褂酶鞣N長(zhǎng)度的波導(dǎo),可以將光子存儲(chǔ)相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間。據(jù)研究人員計(jì)算,一個(gè)3米長(zhǎng)的波導(dǎo)將以20納秒的延遲發(fā)射光子,這個(gè)概率是50%。而其他團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)的先前設(shè)備,在類似條件下運(yùn)行時(shí),實(shí)現(xiàn)概率僅為百分之一。


對(duì)于來(lái)自一個(gè)或多個(gè)量子點(diǎn)的光子必須在相同時(shí)間內(nèi)到達(dá)某個(gè)位置的過(guò)程,新電路要實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的延遲時(shí)間也很重要。此外,低損耗量子點(diǎn)電路可以顯著增加單光子數(shù)量,這些光子可用于在芯片上攜帶量子信息,從而實(shí)現(xiàn)更大、更快、更可靠的計(jì)算和信息處理系統(tǒng)。


2022年12月,包括來(lái)自加州大學(xué)圣巴巴拉分校、麻省理工學(xué)院、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究所和巴西圣保羅大學(xué)的研究人員在內(nèi)的科學(xué)家報(bào)告了他們的發(fā)現(xiàn)。由兩個(gè)組件組成的混合電路,最初每個(gè)組件構(gòu)建在單獨(dú)的芯片上,其中一個(gè)是在NIST設(shè)計(jì)和制造的砷化鎵半導(dǎo)體器件,它容納量子點(diǎn)并將其產(chǎn)生的單光子直接引導(dǎo)到第二個(gè)器件:UCSB開(kāi)發(fā)的低損耗氮化硅波導(dǎo)。


為了結(jié)合這兩種組件,麻省理工學(xué)院的研究人員首先使用微探針的薄金屬尖端,其作用類似于微型撬棍,將砷化鎵器件從NIST制造的芯片中拉出。然后,他們將其放置在另一個(gè)芯片上的氮化硅電路頂部。


在混合電路大規(guī)模用于光子器件之前,研究人員面臨著幾個(gè)挑戰(zhàn)。目前,量子點(diǎn)產(chǎn)生的單個(gè)光子中,只有約6%可以引導(dǎo)到電路中。然而,模擬表明,如果改變光子指向的角度,同時(shí)改善量子點(diǎn)的位置和方向,該比例將會(huì)上升到80%以上。


另一個(gè)問(wèn)題是,創(chuàng)建量子計(jì)算操作需要波長(zhǎng)相同的光子,但量子點(diǎn)并不總是發(fā)射波長(zhǎng)完全相同的單個(gè)光子。該團(tuán)隊(duì)正在探索多種策略,包括恒定電場(chǎng)的應(yīng)用。


編譯:卉可

編輯:慕一


超低損耗電路新研究:光芯片電路+量子計(jì)算的評(píng)論 (共 條)

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