MAVR-000120-14110P

GaAs超突變

MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變?nèi)荻O管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實現(xiàn)高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。

13926596759? www.jchxdz.com

特征

• 過去 70GHz 可用

• 可以用焊料或?qū)щ姯h(huán)氧樹脂安裝。

• 可承受 500 次溫度循環(huán)（-65 攝氏度至 +150 攝氏度），使用 96.5Sn/3.5Ag 焊料安裝，無機械退化。

• 提供口袋膠帶和卷軸。

• 無鉛（符合 RoHs 標準）

• 表面貼裝配置

• 聚酰亞胺劃痕保護

• 氮化硅鈍化

• 高Q值

• 低寄生電容

• 用于線性調(diào)諧的恒定伽瑪

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產(chǎn)品規(guī)格

• 零件號

• MAVR-000120-14110P

• 描述

• GaAs超突變

• 伽馬

• 1.00

• 總電容(pF)

• 0.350

• 品質(zhì)因數(shù) @ 50 MHz，最小值

• 3000

• 擊穿電壓(V)

• 20

• 包裹

• 倒裝芯片芯片

• 包裹類別

• 可焊表面貼裝芯片

?前一個：?MAVR-000403-0287AT

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