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微電子器件原理第45講柵電壓打開MOSFET電流傳輸之門的門檻——閾值電壓

2023-06-15 20:48 作者:Boanerges113  | 我要投稿






統(tǒng)一的費米能級

形成電荷轉(zhuǎn)移

高費米能級向低費米能級

半導(dǎo)體表面有負電荷的積累








bulk內(nèi)部有一份費米勢的下降

depletion layer有一份費米勢的下降

一共是兩份

構(gòu)成恰好形成強反型


氧化層形成電容器









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微電子器件原理第45講柵電壓打開MOSFET電流傳輸之門的門檻——閾值電壓的評論 (共 條)

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