IT之家11月3日消息 此前有數(shù)碼博主測試，華為Mate 40 Pro閃存讀寫性能可達普通UFS 3.1約兩倍的速度。而近日艾奧科技在拆解華為Mate 40保時捷設計時中發(fā)現(xiàn)，其搭載的閃存帶有海思Logo，可見該閃存為華為自研。

據(jù)悉，華為Mate 40 Pro及其以上的機型采用的是海思自研的sfs 1.0閃存芯片，相比UFS 3.1，隨機讀寫速度幾乎翻倍。目前主流UFS 3.1機型的順序讀取速度平均約為1800MB/s左右，順序?qū)懭胨俣燃s為700MB/s左右，隨機寫入約在200-300M/s范圍中。在華為Mate 40 Pro的測試結(jié)果中，可發(fā)現(xiàn)該機連續(xù)讀取約為1966M/s，持續(xù)寫入1280M/s，隨機讀取383M/s，隨機寫入更是直接近乎翻倍地達到了548M/s。

據(jù)IT之家了解，sfs閃存是華為自研的一種新型閃存，外界猜測其或許基于UFS 3.1魔改，但是由于華為官方甚少提及這一新型閃存技術(shù)，也從未在手機發(fā)布會上進行宣傳，目前外界仍對這一新技術(shù)知之甚少。